IXKR25N80C

更新时间： 2024-11-18 12:02:23

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关
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2页	116K
描述
Advanced Technical Information CoolMOS Power MOSFETin ISOPLUS247 Package

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IXKR25N80C 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	4.28	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	670 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	25 A	最大漏极电流 (ID)：	25 A
最大漏源导通电阻：	0.15 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXKR25N80C 数据手册

Advanced Technical Information

IXKR 25N80C

CoolMOS^{™ 1)}Power MOSFET

I_D25= 25A

V_DSS= 800V

R_DS(on)= 125mW

in ISOPLUS247^™Package

N-Channel Enhancement Mode

Low R_DSon, High V_DSSMOSFET

Package with Electrically Isolated Base

ISOPLUS 247^™

Eꢀ53432

G = Gate, D = Drain, S = Source

Features

MOSFET

• ISOPLUS247™ package with DCB Base

- Electrical isolation towards the heatsink

- Low coupling capacitance to the heatsink for

reduced EMI

Symbol

V_DSS

Conditions

Maximum Ratings

800

T_VJ= 25°C to ꢀ50°C

V_GS

- High power dissipation

- High temperature cycling capability

of chip on DCB

I_D25

I_D90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

ꢀ8

- JEDEC TO-247AD compatible

- Easy clip assembly

dv/dt

V_DS< V_DSS; I_F< ꢀ7 A | di_F/dt | < ꢀ00 A/µs

T_VJ= ꢀ50°C

V/ns

• fast CoolMOS^{™ ꢀ)}power MOSFET

3^rdgeneration

E_AS

E_AR

I_D= 4 A; L = 80 mH; T_C= 25°C

I_D= ꢀ7 A; L = 3.3 mH; T_C= 25°C

0.67

0.5

- High blocking capability

- Low on resistance

- Avalanche rated for unclamped

inductive switching (UIS)

- Low thermal resistance

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise speciﬁed)

due to reduced chip thickness

• Enhanced total power density

min. typ. max.

R_DSon

V_GS= ꢀ0 V; I_D= I_D90

ꢀ25

ꢀ50

Applications

V_GS(th)

I_DSS

V_DS= 20 V; I_D= 2 mA

• Switched mode power supplies (SMPS)

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Power factor correction (PFC)

• Welding

V_DS= V_DSS; V_GS= 0 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= ꢀ25°C

µA

ꢀ00

• Inductive heating

I_GSS

V_GS

20 V; V_DS= 0 V

200

355

Q_g

Q_gs

Q_gd

ꢀ80

V_GS= ꢀ0 V; V_DS= 640 V; I_D= 34 A

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

ꢀ5

V_GS= ꢀ0 V; V_DS= 640 V

I_D= 34 A; R_G= 2.2 Ω

V_F

(reverse conduction) I_F= ꢀ2.5 A;V_GS= 0 V

ꢀ

ꢀ.3

^ꢀ)CoolMOS^™is a trademark of

Inﬁneon Technologies AG.

R_thJC

0.5 K/W

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20080526a

ꢀ - 2

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