是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.75 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 670 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 800 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 25 A | 最大漏极电流 (ID): | 25 A |
最大漏源导通电阻: | 0.15 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IXKR40N60 | IXYS | CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS247 Package |
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IXKR40N60C | IXYS | CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS247 Package |
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IXKR40N60C | LITTELFUSE | 此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS |
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IXKR47N60C5 | LITTELFUSE | Power Field-Effect Transistor, |
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IXKR47N60C5 | IXYS | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 600V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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IXKT70N60C5 | IXYS | Power Field-Effect Transistor |
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