IXKR25N80C

更新时间： 2024-02-11 06:18:01

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	116K
描述
Advanced Technical Information CoolMOS Power MOSFETin ISOPLUS247 Package

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IXKR25N80C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	670 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	25 A	最大漏极电流 (ID)：	25 A
最大漏源导通电阻：	0.15 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXKR25N80C 数据手册

Advanced Technical Information

IXKR 25N80C

Component

Symbol

V_ISOL

Conditions

Maximum Ratings

I_ISOL< ꢀ mA; 50/60 Hz

2500

T_VJ

T_stg

-40...+ꢀ50

-40...+ꢀ25

°C

T_L

F_C

ꢀ.6 mm from case for ꢀ0 s

mounting force with clip

300

°C

20 ... ꢀ20

Symbol

C_P

Conditions

Characteristic Values

min. typ. max.

coupling capacity bewtween shorted

pin and mounting tab in the case

with heatsink compound

0.25

R_thCH

K/W

Weight

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20080526a

2 - 2

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