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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.61 |
| 其他特性： | AVALANCE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 800 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXKR25N80C | IXYS |
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Advanced Technical Information CoolMOS Power MOSFETin ISOPLUS247 Package |
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| IXKR25N80C | LITTELFUSE |
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此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS |
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| IXKR40N60 | IXYS |
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CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS247 Package |
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| IXKR40N60C | IXYS |
获取价格 |
CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS247 Package |
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| IXKR40N60C | LITTELFUSE |
获取价格 |
此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS |
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| IXKR47N60C5 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXKR47N60C5 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 600V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXKT70N60C5 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor |
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| IXKT70N60C5 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXKX50N60BU1 | IXYS |
获取价格 |
IGBT with Diode |
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