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IXKP35N60C5

更新时间： 2024-11-18 21:18:35

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	113K
描述
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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IXKP35N60C5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	800 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	35 A	最大漏极电流 (ID)：	35 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXKP35N60C5 数据手册

IXKH 35N60C5

IXKP 35N60C5

Advanced Technical Information

CoolMOS^{™ 1)}Power MOSFET

I_D25

V_DSS

= 35A

= 600V

R_{DS(on) max}= 0.1Ω

N-Channel Enhancement Mode

Low R_DSon, High V_DSSMOSFET

Ultra low gate charge

TO-247 AD (IXKH)

q D(TAB)

TO-220 AB (IXKP)

Features

MOSFET

• fast CoolMOS^{™ 1)}power MOSFET

Symbol

V_DSS

Conditions

Maximum Ratings

4^thgeneration

T_VJ= 25°C

600

- High blocking capability

- Lowest resistance

V_GS

- Avalanche rated for unclamped

inductive switching (UIS)

- Low thermal resistance

due to reduced chip thickness

• Enhanced total power density

I_D25

I_D90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

E_AS

E_AR

single pulse

repetitive

800

1.2

I_D= 11 A; T_C= 25°C

dV/dt

MOSFET dV/dt ruggedness V_DS= 0...480 V

50 V/ns

Applications

• Switched mode power supplies

(SMPS)

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise speciﬁed)

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Power factor correction (PFC)

• Welding

min. typ. max.

R_DSon

V_GS= 10 V; I_D= 18 A

100

mΩ

• Inductive heating

• PDP and LCD adapter

V_GS(th)

I_DSS

V_DS= V_GS; I_D= 1.2 mA

V_DS= 600 V; V_GS= 0 V

2.1

3.9

T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

µA

tbd

¹⁾CoolMOS^™is a trademark of

Inﬁneon Technologies AG.

I_GSS

V_GS

20 V; V_DS= 0 V

100

C_iss

C_oss

V_GS= 0 V; V_DS= 100 V

f = 1 MHz

2800

130

Q_g

Q_gs

Q_gd

V_GS= 0 to 10 V; V_DS= 400 V; I_D= 18 A

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

tbd

V_GS= 10 V; V_DS= 400 V

I_D= 18 A; R_G= 3.3 Ω

R_thJC

0.35 K/W

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20080523a

1 - 4

12 3 4

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