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IXGN72N60C3H1

更新时间： 2024-03-12 21:01:44

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力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	249K
描述
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 300V? GenX3? IGBT提供高达150 kHz的开关性能，电流范围在42A至120A之间。由于兼具

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IXGN72N60C3H1 数据手册

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGN75N60B	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4
IXGN75N80	IXYS	获取价格	Transistor
IXGN75N90	IXYS	获取价格	Transistor
IXGN82N120B3H1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGN82N120C3H1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGP10N100	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1KV V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB
IXGP10N100A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1KV V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB
IXGP10N50	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB
IXGP10N50A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB
IXGP10N60	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT