Datasheet > IXGN72N60C3H1

IXGN72N60C3H1

更新时间： 2024-03-12 21:01:44

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	249K
描述
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 300V? GenX3? IGBT提供高达150 kHz的开关性能，电流范围在42A至120A之间。由于兼具

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGN72N60C3H1 数据手册

IXGN72N60C3H1

Fig. 18. Inductive Turn-on

Switching Times vs. Gate Resistance

Fig. 19. Inductive Turn-on

Switching Times vs. Collector Current

160

140

120

100

110

100

t_r

t_d(on)

- - - -

t_r

t_d(on)

- - - -

T_J= 125ºC, V_GE= 15V

_CE= 480V

R_G= 2ꢀ , V_GE= 15V

V_CE= 480V

I _C= 100A

T_J= 25ºC, 125ºC

I _C= 50A

100

I_C- Amperes

R_G- Ohms

Fig. 20. Inductive Turn-on

Switching Times vs. Junction Temperature

120

110

100

t _r

_d(on)- - - -

R_G= 2Ω , V_GE= 15V

V_CE= 480V

I _C= 100A

I _C= 50A

105

115

125

T_J- Degrees Centigrade

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

IXYS REF: G_72N60C3(8D)11-25-09-C

1...3 4 567 8

中文翻译

下载PDF

与IXGN72N60C3H1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGN75N60B	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4
IXGN75N80	IXYS	获取价格	Transistor
IXGN75N90	IXYS	获取价格	Transistor
IXGN82N120B3H1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGN82N120C3H1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGP10N100	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1KV V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB
IXGP10N100A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1KV V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB
IXGP10N50	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB
IXGP10N50A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB
IXGP10N60	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT