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IXGH6N170

更新时间： 2024-04-02 21:14:49

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXGH6N170 数据手册

IXGH6N170

IXGT6N170

Fig. 7. Gate Charge

Fig. 8. Capacitance

1,000

100

= 1 MHz

= 850V

= 6A

ies

= 10mA

oes

res

V_CE- Volts

Q_G- NanoCoulombs

Fig. 10. Maximum Transient Thermal Impedance

Fig. 9. Reverse-Bias Safe Operating Area

0.1

= 125ºC

= 33Ω

dv / dt < 10V / ns

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

1800

V_CE- Volts

Pulse Width - Seconds

Fig. 11. Cauer Thermal Network

Ri (°C/W) Ci (J/°C)

0.11615

0.29930

0.26377

0.0019257

0.0016574

0.0262960

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

IXYS REF: G_6N170 (2N) 9-23-15-B

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