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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGH28N60A3 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| IXGH28N60A3 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IXGH28N60B | IXYS |
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Low V IGBT |
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| IXGH28N60B3D1 | IXYS |
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PolarHV IGBT |
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| IXGH28N60B3D1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGH28N60BD1 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT with Diode |
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| IXGH28N60D1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), N-Channel, TO-247AD, |
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| IXGH28N90 | IXYS |
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HIPERFAST IGBT |
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| IXGH28N90B | IXYS |
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HIPERFAST IGBT |
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| IXGH2N250 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 5.5A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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