Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGH120N30B3

IXGH120N30B3

更新时间： 2024-09-16 11:14:07

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IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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GenX3 300V IGBT

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IXGH120N30B3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	540 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	356 ns
标称接通时间 (ton)：	41 ns	Base Number Matches：	1

IXGH120N30B3 数据手册

V_CES= 300V

I_C110= 120A

V_CE(sat)≤ 1.7V

GenX3 300V IGBT

IXGH120N30B3

Medium speed low Vsat PT

IGBTs for 10-50 kHz switching

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXGH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

300

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

TAB

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C (limited by leads)

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

120

480

G = Gate

E = Emitter

= Collector

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_J= 125°C, R_G= 1Ω

Clamped inductive load @V_CE≤ 300V

I_CM= 240

TAB = Collector

P_C

T_C= 25°C

540

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

Features

-55 ... +150

M_d

Mounting torque

1.13 / 10

Nm/lb.in.

^zOptimized for low switching losses

^zSquare RBSOA

^zInternational standard package

T_L

T_SOLD

Maximum lead temperature for soldering

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

300

260

°C

Weight

Advantages

^zHigh power density

^zLow gate drive requirement

Applications

^zHigh Frequency Power Inverters

^zUPS

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zMotor Drives

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

^zSMPS

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

300

3.0

5.0

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0V

10 μA

500 μA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C

= 120A, V_GE= 15V, Note 1

T_J= 125°C

1.42

1.47

1.70

DS99797A(07/08)

12 3 4 5

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