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力特 - LITTELFUSE | 开关双极性晶体管 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 918K | |
描述 | ||
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 300V? GenX3? IGBT提供高达150 kHz的开关性能,电流范围在42A至120A之间。 由于兼具 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IXGH12N100 | IXYS | Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode |
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IXGH12N100 | LITTELFUSE | IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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IXGH12N100A | ETC | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247AD |
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IXGH12N100AS | ETC | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD |
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IXGH12N100AU1 | IXYS | Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode |
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IXGH12N100AU1S | ETC | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD |
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