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IXFN38N100Q2_08

更新时间： 2022-11-10 23:51:24

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HiPerFET Power MOSFET

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IXFN38N100Q2_08 数据手册

IXFN38N100Q2

Fig. 8. Transconductance

Fig. 7. Input Admittance

T_J= - 40

T_J= 125 C

25 C

- 40 C

12 5 C

250

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

1.2

I _D- Amperes

V_GS- Volts

Fig. 9. Source Current vs. Source-To-

Drain Voltage

Fig. 10. Gate Charge

V_DS= 500V

I _D= 19A

I _G= 10mA

T_J= 125 C

T_J= 25 C

100

150

200

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V_SD- Volts

Q _G- nanoCoulombs

Fig. 12. Maximum Transient Thermal

Impedance

Fig. 11. Capacitance

100000

10000

1000

1.000

f = 1MHz

iss

0.100

0.010

0.001

oss

rss

10 0

0.0001

0.001

0.01

0.1

Pulse Width - Seconds

V_DS- Volts

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

IXYS REF: F_38N100Q2(95)5-27-08-B

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