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力特 - LITTELFUSE | 栅 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 166K | |
描述 | ||
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围(从-40 °C到175 °C),这些产品非常适合汽车应用以及其他处 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IXFK140N30P | IXYS | Polar Power MOSFET HiPerFET |
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IXFK140N30P | LITTELFUSE | 功能与特色: 优点: 应用: |
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IXFK14N100Q | IXYS | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1000V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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IXFK150N15 | IXYS | HiPerFET Power MOSFETs |
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IXFK150N15P | IXYS | PolarHT⑩ HiPerFET Power MOSFET |
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IXFK150N30P3 | LITTELFUSE | Power Field-Effect Transistor, |
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