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IXFK140N25T

更新时间: 2023-12-06 20:13:06
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力特 - LITTELFUSE
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6页 166K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围(从-40 °C到175 °C),这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXFK140N25T  
IXFX140N25T  
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance  
1.00  
0.10  
0.01  
0.00  
0.00001  
0.0001  
0.001  
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0.1  
1
10  
Pulse Width - Seconds  
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IXYS REF:F_140N25T(9W)3-25-09  

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