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IXFK140N25T

更新时间： 2023-12-06 20:13:06

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力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
6页	166K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXFK140N25T 数据手册

IXFK140N25T

IXFX140N25T

Fig. 1. Output Characteristics

@ 25ºC

Fig. 2. Extended Output Characteristics

@ 25ºC

320

280

240

200

160

120

140

120

100

V_GS= 10V

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2

V_DS- Volts

Fig. 4. R_DS(on)Normalized to I_D= 70A Value

vs. Junction Temperature

Fig. 3. Output Characteristics

@ 125ºC

140

120

100

2.8

2.6

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

V_GS= 10V

I _D= 140A

I _D= 70A

-50

-25

100

125

150

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

V_DS- Volts

T_J- Degrees Centigrade

Fig. 5. R_DS(on)Normalized to I_D= 70A Value

vs. Drain Current

Fig. 6. Maximum Drain Current vs.

Case Temperature

160

140

120

100

2.8

2.6

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

V_GS= 10V

T_J= 125ºC

T_J= 25ºC

120

160

200

240

280

320

-50

-25

T_C- Degrees Centigrade

100

125

150

I_D- Amperes

IXYS REF:F_140N25T(9W)3-25-09

1 234 5 6

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