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IXFH12N80P

更新时间： 2024-01-03 21:43:01

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描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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IXFH12N80P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	8.37
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	800 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	0.85 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH12N80P 数据手册

IXFH12N80P IXFQ12N80P

IXFV12N80P IXFV12N80PS

Symbol

g_fs

Test Conditions

Characteristic Values

TO-247 (IXFH) Outline

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ. Max.

V_DS= 20 V; I_D= 0.5 I_D25, Note 1

V_GS= 0 V, V_DS= 25 V, f = 1 MHz

C_iss

C_oss

C_rss

2800

210

∅ P

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_GS= 10 V, V_DS= 0.5 V_DSS, I_D= I_D25

R_G= 5 Ω (External)

Terminals: 1 - Gate

2 - Drain

Tab - Drain

3 - Source

Dim.

Millimeter

Min. Max.

Inches

Min. Max.

Q_g(on)

Q_gs

A₁

A₂

4.7

2.2

5.3

2.54

2.6

.185 .209

.087 .102

.059 .098

V_GS= 10 V, V_DS= 0.5 V_DSS, I_D= 0.5 I_D25

Q_gd

b₁

b₂

1.0

1.65

2.87

1.4

2.13

3.12

.040 .055

.065 .084

.113 .123

R_thJC

R_thCS

0.35 °C/W

°C/W

(TO-247 & TO-3P)

0.21

.016 .031

.819 .845

.610 .640

20.80 21.46

15.75 16.26

5.20

19.81 20.32

4.50

5.72 0.205 0.225

Source-Drain Diode

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ. Max.

.780 .800

.177

Symbol

I_S

Test Conditions

∅P 3.55

3.65

.140 .144

5.89

6.40 0.232 0.252

V_GS= 0 V

4.32

6.15 BSC

5.49

.170 .216

242 BSC

I_SM

Repetitive

V_SD

I_F= I_S, V_GS= 0 V, Note 1

1.5

250

t_rr

I_S= 12 A, V_GS= 0 V

200

0.8

μC

Q_rm

I_rm

-di/dt = 100 A/μs, V_R= 100 V

Note 1: Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

TO-3P (IXFQ) Outline

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592 4,931,844

one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072 5,017,508

4,881,106 5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1 6,683,344

6,534,343

6,583,505

6,727,585

6,710,405 B2 6,759,692

6,710,463

7,005,734 B2

7,063,975 B2

6,771,478 B2 7,071,537

123 4 5

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFV12N80PS	IXYS	功能相似	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFV12N80P	IXYS	类似代替	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFQ12N80P	IXYS	类似代替	PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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IXFH12N90	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH12N90P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFH12N90P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH12N90Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q Class
IXFH12N90Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH130N15X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH130N15X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
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