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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-247AD |
| 包装说明： | TO-247, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 8.37 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 800 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.85 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFV12N80P | IXYS |
类似代替  |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFQ12N80P | IXYS |
类似代替 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFV12N80PS | IXYS |
功能相似 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH12N90 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFH12N90 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFH12N90P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFH12N90P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFH12N90Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q Class |
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| IXFH12N90Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFH130N15X3 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFH130N15X3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFH13N100 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFH13N100 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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