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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-247 | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.64 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 13 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 13 A | 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 180 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 52 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH13N65 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFH13N65 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXFH13N80 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFH13N80 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFH13N80Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q Class |
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| IXFH13N90 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFH13N90 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFH140N10P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFH140N10P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFH140N20X3 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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