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IXFH13N90

更新时间： 2024-11-19 14:56:47

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFH13N90 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	TO-247AD, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.37	其他特性：	AVALANCHE RATED
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13 A
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	52 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFH13N90 数据手册

HiPerFET^TM

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

IXFH/IXFM10N90

IXFH/IXFM12N90

IXFH/IXFT 13N90

900 V 10 A 1.1 Ω

900 V 12 A 0.9 Ω

900 V 13 A 0.8 Ω

Power MOSFETs

N-ChannelEnhancementMode

Highdv/dt, Lowt_rr, HDMOS^TMFamily

Obsolete:

t_rr≤ 250 ns

TO-247AD(IXFH)

IXFM10N90

IXFM12N90

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

900

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

V_GSM

TO-204AA(IXFM)

Package

unavailable

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

10N90

12N90

13N90

10N90

12N90

13N90

10N90

12N90

13N90

T_C= 25°C,

pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-268(IXFT)

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

V/ns

C (TAB)

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

P_D

T_C= 25°C

300

G = Gate,

D = Drain,

T_J

-55 ... +150

150

°C

S = Source,

TAB = Drain

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

International standard packages

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

Low R

HDMOS^TMprocess

Rugge^Dd^{S (}p^ono⁾lysilicon gate cell structure

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Fast intrinsic Rectifier

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

min. typ. max.

DC-DC converters

Synchronous rectification

V_DSS

V_GS= 0 V, I = 3 mA

V_DS= V_GS, I^D_D= 4 mA

900

2.0

Battery chargers

V_GS(th)

4.5

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

DC choppers

AC motor control

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

25 µA

Temperature and lighting controls

Low voltage relays

Advantages

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

10N90

12N90

13N90

1.1

0.9

0.8

Ω

Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole)

Space savings

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

High power density

DS91530I(01/03)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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