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IXFH12N90

更新时间： 2024-02-23 09:10:50

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFH12N90 数据手册

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HiPerFET^TM

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

IXFH/IXFM10N90

IXFH/IXFM12N90

IXFH/IXFT 13N90

900 V 10 A 1.1 Ω

900 V 12 A 0.9 Ω

900 V 13 A 0.8 Ω

Power MOSFETs

N-ChannelEnhancementMode

Highdv/dt, Lowt_rr, HDMOS^TMFamily

Obsolete:

t_rr≤ 250 ns

TO-247AD(IXFH)

IXFM10N90

IXFM12N90

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T

= 25°C to 150°C

900

900

V

V

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V

V

(TAB)

V_GSM

TO-204AA(IXFM)

Package

unavailable

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

10N90

12N90

13N90

10N90

12N90

13N90

10N90

12N90

13N90

10

12

13

40

48

52

10

12

13

A

A

A

A

A

A

A

A

A

T_C= 25°C,

pulse width limited by T_JM

G

D

T_C= 25°C

TO-268(IXFT)

E_AR

T_C= 25°C

30

5

mJ

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

,

V/ns

G

E

C (TAB)

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

P_D

T_C= 25°C

300

W

G = Gate,

D = Drain,

T_J

-55 ... +150

150

°C

°C

°C

S = Source,

TAB = Drain

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

z

International standard packages

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

z

z

z

Low R

HDMOS^TMprocess

Rugge^Dd^{S (}p^ono⁾lysilicon gate cell structure

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

z

z

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Fast intrinsic Rectifier

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

min. typ. max.

z

DC-DC converters

z

Synchronous rectification

V_DSS

V_GS= 0 V, I = 3 mA

V_DS= V_GS, I^D_D= 4 mA

900

2.0

V

V

z

Battery chargers

V_GS(th)

4.5

z

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

z

DC choppers

z

AC motor control

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

25 µA

z

Temperature and lighting controls

1

mA

z

Low voltage relays

Advantages

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

10N90

12N90

13N90

1.1

0.9

0.8

Ω

Ω

Ω

z

Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole)

z

Space savings

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

z

High power density

DS91530I(01/03)

© 2003 IXYS All rights reserved

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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