IXFH12N100

更新时间： 2024-02-27 21:49:10

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HiPerFET Power MOSFETs

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IXFH12N100 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-G2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH12N100 数据手册

IXFH 10N100 IXFH 12N100 IXFH 13N100

IXFM 10N100 IXFM 12N100

Fig. 1 Output Characteristics

Fig. 2 Input Admittance

T_J= 25°C

V_GS= 10V

T_J= 25°C

V_DS- Volts

V_GS- Volts

Fig. 3

R_DS(on)vs. Drain Current

Fig. 4

Temperature Dependence

of Drain to Source Resistance

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

2.50

2.25

2.00

1.75

1.50

1.25

1.00

0.75

0.50

T_J= 25°C

V_GS= 10V

I_D= 6A

V_GS= 15V

-50 -25

25 50 75 100 125 150

T_J- Degrees C

I_D- Amperes

Fig. 5 Drain Current vs.

Case Temperature

Fig. 6 Temperature Dependence of

Breakdown and Threshold Voltage

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

V_GS(th)

BV_DSS

12N100

10N100

-50 -25

25 50 75 100 125 150

T_C- Degrees C

-50 -25

25 50 75 100 125 150

T_J- Degrees C

3 - 4

1 234

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