是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TO-247AD | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.65 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 750 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 1000 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 12 A |
最大漏极电流 (ID): | 12 A | 最大漏源导通电阻: | 1.05 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-247AD |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 463 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 24 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STW11NK100Z | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 1000V - 1.1W - 8.3A TO-247 Zener-Pr | |
STW20NK50Z | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247 | |
STW12NK90Z | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 900V - 0.72 ohm - 11A TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFH12N100Q | IXYS |
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HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class | |
IXFH12N100Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFH12N100QS | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1000V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
IXFH12N120 | IXYS |
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High Voltage HiPerFET Power MOSFET | |
IXFH12N120P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFH12N120P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFH12N50 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFH12N50F | IXYS |
获取价格 |
HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching | |
IXFH12N65X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的 | |
IXFH12N80P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |