IXFH12N120

更新时间： 2024-01-13 19:04:18

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
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描述
High Voltage HiPerFET Power MOSFET

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IXFH12N120 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.42	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	1.35 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	543 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFH12N120 数据手册

V_DSS= 1200 V

I_D(cont)= 12 A

R_DS(on)= 1.4 Ω

IXFH 12N120

HighVoltage

HiPerFET Power

MOSFET

t_rr

≤ 300 ns

Preliminary Data Sheet

Symbol TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 AD

V_DSS

V_DGR

T_J

= 25°C to 150°C

1200

= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

D (TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C

= 25°C

= 25°C, pulse width limited by T_JM

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

E_AR

E_AS

T_C

= 25°C

1.0

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

Features

P_D

T_C

= 25°C

500

^zInternational standard package

JEDEC TO-247 AD

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

^zLow R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

-55 ... +150

^zRugged polysilicon gate cell structure

^zFast switching times

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Applications

Switch-mode and resonant-mode

power supplies

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Motor controls

Uninterruptible Power Supplies (UPS)

DC choppers

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

1200

V_GS(th)

Advantages

I_GSS

I_DSS

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

100 nA

Easy to mount with 1 screw

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

50 µA

(isolated mounting screw hole)

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

1.4

Ω

High power density

DS99334(02/05)

12 3 4

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