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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-247AD |
| 包装说明： | TO-247AD, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 1.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247AD |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTH12N120 | IXYS |
完全替代  |
Power MOSFET, Avalanche Rated High Voltage |
|
| IXFH12N120P | IXYS |
类似代替 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH12N120P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFH12N120P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFH12N50 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFH12N50F | IXYS |
获取价格 |
HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching |
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| IXFH12N65X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的 |
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| IXFH12N80P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFH12N80P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFH12N90 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFH12N90 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFH12N90P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
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