5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.68 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH12N120 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFH12N120P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
|
| IXFH12N120P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFH12N50 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
|
| IXFH12N50F | IXYS |
获取价格 |
HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching |
|
| IXFH12N65X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的 |
|
| IXFH12N80P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFH12N80P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFH12N90 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
|
| IXFH12N90 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
