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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.68 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IXFH12N120 | IXYS | High Voltage HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFH12N120P | IXYS | Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFH12N120P | LITTELFUSE | 功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFH12N50 | IXYS | HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFH12N50F | IXYS | HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching |
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| IXFH12N65X2 | LITTELFUSE | 这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的 |
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