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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 750 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 1.05 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247AD |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 463 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH12N100Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class |
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| IXFH12N100Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFH12N100QS | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1000V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IXFH12N120 | IXYS |
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High Voltage HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFH12N120P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFH12N120P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFH12N50 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
|
| IXFH12N50F | IXYS |
获取价格 |
HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching |
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| IXFH12N65X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的 |
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| IXFH12N80P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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