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Datasheet > 晶体管 > IGBT> ISL9V3040D3ST
ISL9V3040D3ST PDF预览

ISL9V3040D3ST

更新时间： 2024-11-16 03:15:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管双极性晶体管栅汽车点火PC
页数 文件大小 规格书
8页 173K
描述
EcoSPARKTM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT

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ISL9V3040D3ST 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：PLASTIC,DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.21
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：869220Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Transistor IGBTSamacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：ISL9V3040D3ST-2Samacsys Released Date：2019-09-04 16:59:24
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：21 A集电极-发射极最大电压：450 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最大降落时间（tf）：15000 ns
门极发射器阈值电压最大值：2.2 V门极-发射极最大电压：12 V
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W认证状态：Not Qualified
最大上升时间（tr）：7000 ns子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AUTOMOTIVE IGNITION
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：7600 ns
标称接通时间 (ton)：2800 nsBase Number Matches：1

ISL9V3040D3ST 数据手册

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October 2004  
ISL9V3040D3S / ISL9V3040S3S / ISL9V3040P3 /  
ISL9V3040S3  
TM  
EcoSPARK 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT  
Formerly Developmental Type 49362  
General Description  
The ISL9V3040D3S, ISL9V3040S3S, ISL9V3040P3, and  
ISL9V3040S3 are the next generation ignition IGBTs that offer  
Applications  
•
•
Automotive Ignition Coil Driver Circuits  
Coil- On Plug Applications  
outstanding SCIS capability in the space saving D-Pak (TO-252), as  
well as the industry standard D²-Pak (TO-263), and TO-262 and TO-  
220 plastic packages. This device is intended for use in automotive  
ignition circuits, specifically as a coil driver. Internal diodes provide  
voltage clamping without the need for external components.  
Features  
•
•
•
Space saving D-Pak package availability  
EcoSPARK™ devices can be custom made to specific clamp  
voltages. Contact your nearest Fairchild sales office for more  
information.  
o
SCIS Energy = 300mJ at T = 25 C  
J
Logic Level Gate Drive  
Package  
Symbol  
JEDEC TO-263AB  
JEDEC TO-220AB  
E
D²-Pak  
C
G
COLLECTOR  
G
E
R1  
R2  
GATE  
JEDEC TO-262AA  
JEDEC TO-252AA  
D-Pak  
E
C
G
G
EMITTER  
E
COLLECTOR  
(FLANGE)  
Device Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Collector to Emitter Breakdown Voltage (I = 1 mA)  
Ratings  
Units  
V
BV  
BV  
430  
24  
CER  
ECS  
C
Emitter to Collector Voltage - Reverse Battery Condition (I = 10 mA)  
V
C
E
At Starting T = 25°C, I = 14.2A, L = 3.0 mHy  
SCIS  
300  
mJ  
mJ  
A
SCIS25  
J
E
At Starting T = 150°C, I = 10.6A, L = 3.0 mHy  
SCIS  
170  
SCIS150  
J
I
Collector Current Continuous, At T = 25°C, See Fig 9  
21  
C25  
C
I
Collector Current Continuous, At T = 110°C, See Fig 9  
17  
A
C110  
C
V
Gate to Emitter Voltage Continuous  
±10  
V
GEM  
P
Power Dissipation Total T = 25°C  
150  
W
D
C
Power Dissipation Derating T > 25°C  
1.0  
W/°C  
°C  
°C  
°C  
°C  
kV  
C
T
Operating Junction Temperature Range  
-40 to 175  
-40 to 175  
300  
J
T
Storage Junction Temperature Range  
STG  
T
Max Lead Temp for Soldering (Leads at 1.6mm from Case for 10s)  
Max Lead Temp for Soldering (Package Body for 10s)  
Electrostatic Discharge Voltage at 100pF, 1500Ω  
L
T
260  
pkg  
ESD  
4
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
ISL9V3040D3S / ISL9V3040S3S / ISL9V3040P3 / ISL9V3040S3 Rev. D3, October 2004  
12345678

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ISL9V3040D3ST 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
ISL9V3040D3S FAIRCHILD

类似代替

 EcoSPARKTM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT
ISL9V3040D3ST ONSEMI

功能相似

 400 V、17 A、1.58 V、300 mJ、DPAKEcoSPARK® I、N 沟道

与ISL9V3040D3ST相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ISL9V3040D3ST_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 450V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, PLASTIC,
ISL9V3040D3ST-F085C ONSEMI

获取价格

 		EcoSPARK Ignition IGBT
ISL9V3040D3STV ONSEMI

获取价格

 		IGBT，N 沟道，点火，DPAK，17A，1.58V，300mJ EcoSPARK® I
ISL9V3040P3 ONSEMI

获取价格

 		IGBT，400V，17A，1.58V，300mJ，TO-220EcoSPARK® I，N
ISL9V3040P3 FAIRCHILD

获取价格

 		EcoSPARKTM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT
ISL9V3040P3-F085C ONSEMI

获取价格

 		IGBT, 400V, 17A, 1.58V, 300mJ, TO-220EcoSPARK
ISL9V3040S3 FAIRCHILD

获取价格

 		EcoSPARKTM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT
ISL9V3040S3S FAIRCHILD

获取价格

 		EcoSPARKTM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT
ISL9V3040S3SL86Z FAIRCHILD

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 390V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC,
ISL9V3040S3SL99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 390V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC,

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