5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 5 weeks | 风险等级： | 0.8 |
| Samacsys Confidence： | 4 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 980952 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | Transistor IGBT | Samacsys Package Category： | Other |
| Samacsys Footprint Name： | D2PAK?3 (TO?263, 3?LEAD) CASE 418AJ ISSUE C | Samacsys Released Date： | 2019-02-26 18:29:59 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 46 A | 集电极-发射极最大电压： | 420 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 门极发射器阈值电压最大值： | 2.2 V |
| 门极-发射极最大电压： | 12 V | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大上升时间（tr）： | 7000 ns |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AUTOMOTIVE IGNITION | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 13600 ns | 标称接通时间 (ton)： | 2800 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| HGT1S20N35G3VLS | FAIRCHILD |
功能相似  |
20A, 350V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ISL9V5036S3ST_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 46A I(C), 420V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, ROHS COMP |
|
| ISL9V5036S3ST-F085C | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT, 360V, 31A, 1.17V, 500mJ, D2PAKEcoSPARK® |
|
| ISL9V5036S3STL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 46A I(C), 360V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC, |
|
| ISL9V5036S3STL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 46A I(C), 360V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC, |
|
| ISL9V5036S3STS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 46A I(C), 360V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC, |
|
| ISL9V5045S3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
EcoSPARK N-Channel Ignition IGBT |
|
| ISL9V5045S3S | FAIRCHILD |
获取价格 |
EcoSPARK N-Channel Ignition IGBT |
|
| ISL9V5045S3ST | FAIRCHILD |
获取价格 |
EcoSPARK N-Channel Ignition IGBT |
|
| ISL9V5045S3ST | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，450V，19A，1.6V，300mJ，DPAKEcoSPARK® I，N 沟道 |
|
| ISL9V5045S3ST_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
ISL9V5045S3ST_F085 EcoSPARK N-Channel Ignition IGBT |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
