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ISL9V3040D3ST-F085C

更新时间： 2024-09-30 02:52:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 汽车点火双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 3121K
描述
EcoSPARK Ignition IGBT

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ISL9V3040D3ST-F085C 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：5.72
最大集电极电流 (IC)：21 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最大降落时间（tf）：0.015 ns
门极发射器阈值电压最大值：2.2 V门极-发射极最大电压：10 V
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W参考标准：AEC-Q101
最大上升时间（tr）：0.007 ns表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：AUTOMOTIVE IGNITION晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：0.03 ns标称断开时间 (toff)：0.0076 ns
最大开启时间（吨）：0.011 ns标称接通时间 (ton)：0.0028 ns
VCEsat-Max：1.65 VBase Number Matches：1

ISL9V3040D3ST-F085C 数据手册

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ISL9V3040x3ST-F085C  
EcoSPARKꢀ Ignition IGBT  
300 mJ, 400 V, N−Channel Ignition IGBT  
Features  
• SCIS Energy = 300 mJ at T = 25°C  
J
• Logic Level Gate Drive  
www.onsemi.com  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
COLLECTOR  
Applications  
• Automotive Ignition Coil Driver Circuits  
• High Current Ignition System  
• Coil on Plug Application  
R
1
GATE  
R
2
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
EMITTER  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
BV  
400  
Collector to Emitter Breakdown  
Voltage (IC = 1 mA)  
CER  
V
mJ  
mJ  
A
BV  
24  
300  
170  
21  
Emitter to Collector Voltage − Reverse  
ECS  
Battery Condition (IC = 10 mA)  
E
ISCIS = 14.2 A, L = 3.0 mHy,  
SCIS25  
RGE = 1 KW, T = 25°C (Note 1)  
C
E
ISCIS = 10.6 A, L = 3.0 mHy,  
SCIS150  
RGE = 1 KW, T = 150°C (Note 2)  
C
2
DPAK3  
CASE 369AS  
D PAK−3  
IC25  
Collector Current Continuous  
CASE 418AJ  
at VGE = 4.0 V, T = 25°C  
C
A
IC110  
17  
Collector Current Continuous  
MARKING DIAGRAM  
at VGE = 4.0 V, T = 110°C  
C
V
W
V
10  
Gate to Emitter Voltage Continuous  
GEM  
AYWW  
XXX  
XXXXXG  
PD  
Power Dissipation Total, T = 25°C  
150  
1
C
W/°C  
°C  
Power Dissipation Derating, T > 25°C  
C
T , T  
J
−55 to +175  
Operating Junction and Storage  
Temperature  
STG  
A
Y
WW  
XXXX  
G
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Device Code  
= Pb−Free Package  
°C  
°C  
kV  
kV  
T
L
300  
260  
4
Lead Temperature for Soldering  
Purposes (1/8” from case for 10 s)  
T
Reflow Soldering according to  
JESD020C  
PKG  
ESD  
HBM−Electrostatic Discharge Voltage  
at 100 pF, 1500 W  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2  
of this data sheet.  
2
CDM−Electrostatic Discharge Voltage  
at 1 W  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. Self clamped inductive Switching Energy (ESCIS25) of 300 mJ is based on  
the test conditions that is starting T = 25°C, L = 3 mHy, ISCIS = 14.2 A,  
J
VCC = 100 V during inductor charging and VCC = 0 V during time in clamp.  
2. Self Clamped inductive Switching Energy (ESCIS150) of 170 mJ is based on  
the test conditions that is starting T = 150°C, L = 3mHy, ISCIS = 10.6 A,  
J
VCC = 100 V during inductor charging and VCC = 0 V during time in clamp.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
August, 2019 − Rev. 1  
ISL9V3040−F085C//D  
 
1234567...9

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与ISL9V3040D3ST-F085C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ISL9V3040D3STV ONSEMI

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 		IGBT，N 沟道，点火，DPAK，17A，1.58V，300mJ EcoSPARK® I
ISL9V3040P3 ONSEMI

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 		IGBT，400V，17A，1.58V，300mJ，TO-220EcoSPARK® I，N
ISL9V3040P3 FAIRCHILD

获取价格

 		EcoSPARKTM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT
ISL9V3040P3-F085C ONSEMI

获取价格

 		IGBT, 400V, 17A, 1.58V, 300mJ, TO-220EcoSPARK
ISL9V3040S3 FAIRCHILD

获取价格

 		EcoSPARKTM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT
ISL9V3040S3S FAIRCHILD

获取价格

 		EcoSPARKTM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT
ISL9V3040S3SL86Z FAIRCHILD

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 390V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC,
ISL9V3040S3SL99Z FAIRCHILD

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 390V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC,
ISL9V3040S3ST FAIRCHILD

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 		EcoSPARKTM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT
ISL9V3040S3ST ONSEMI

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 		IGBT，400V，17A，1.58V，300mJ，D2PAKEcoSPARK® I，N

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