是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-252AA |
包装说明: | PLASTIC,DPAK-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.13 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 21 A | 集电极-发射极最大电压: | 450 V |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最大降落时间(tf): | 15000 ns |
门极发射器阈值电压最大值: | 2.2 V | 门极-发射极最大电压: | 12 V |
JEDEC-95代码: | TO-252AA | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 150 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大上升时间(tr): | 7000 ns | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AUTOMOTIVE IGNITION |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 7600 ns |
标称接通时间 (ton): | 2800 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
ISL9V3040D3ST | ONSEMI |
类似代替 |
400 V、17 A、1.58 V、300 mJ、DPAKEcoSPARK® I、N 沟道 | |
ISL9V3040D3ST | FAIRCHILD |
类似代替 |
EcoSPARKTM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT | |
ISL9V3040D3ST_NL | FAIRCHILD |
功能相似 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 450V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, PLASTIC, |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ISL9V3040D3S_04 | FAIRCHILD |
获取价格 |
EcoSPARKTM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT | |
ISL9V3040D3S_15 | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL JUNCTION FET | |
ISL9V3040D3SG-TA3-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL JUNCTION FET | |
ISL9V3040D3SG-TF3-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL JUNCTION FET | |
ISL9V3040D3SG-TN3-R | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL JUNCTION FET | |
ISL9V3040D3SG-TQ2-R | UTC |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
ISL9V3040D3SG-TQ2-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL JUNCTION FET | |
ISL9V3040D3SL-TA3-T | UTC |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor | |
ISL9V3040D3SL-TF3-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL JUNCTION FET | |
ISL9V3040D3SL-TN3-R | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL JUNCTION FET |