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Datasheet > 暂无类别数据> ISL9N312AD3
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ISL9N312AD3

更新时间： 2024-11-24 22:11:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
11页 270K
描述
N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs

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ISL9N312AD3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251AA包装说明：IPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.1
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：50 A最大漏源导通电阻：0.012 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

ISL9N312AD3 数据手册

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June 2002  
ISL9N312AD3 / ISL9N312AD3ST  
N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs  
®
General Description  
Features  
This device employs a new advanced trench MOSFET  
technology and features low gate charge while maintaining  
low on-resistance.  
•
•
•
•
•
•
Fast switching  
r
r
= 0.010Ω (Typ), V = 10V  
GS  
DS(ON)  
DS(ON)  
= 0.017Ω (Typ), V = 4.5V  
Optimized for switching applications, this device improves  
the overall efficiency of DC/DC converters and allows  
operation to higher switching frequencies.  
GS  
Q (Typ) = 13nC, V = 5V  
g
GS  
Q
(Typ) = 4.5nC  
gd  
ISS  
Applications  
•
DC/DC converters  
C
(Typ) = 1450pF  
D
S
D
G
G
I-PAK  
(TO-251AA)  
S
D-PAK  
(TO-252)  
G D S  
MOSFET Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
DSS  
GS  
±20  
Drain Current  
o
50  
32  
A
A
Continuous (T = 25 C, V = 10V)  
C
GS  
o
I
Continuous (T = 100 C, V = 4.5V)  
C GS  
D
o
o
Continuous (T = 25 C, V = 10V, R = 52 C/W)  
θJA  
11  
A
C
GS  
Pulsed  
Figure 4  
A
Power dissipation  
Derate above 25 C  
75  
0.5  
W
W/ C  
P
o
o
D
o
T , T  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
C
J
STG  
Thermal Characteristics  
o
R
R
R
Thermal Resistance Junction to Case TO-251, TO-252  
2
C/W  
θJC  
θJA  
θJA  
o
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-251, TO-252  
100  
52  
C/W  
2
o
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, 1in copper pad area  
C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
N312AD  
Device  
Package  
TO-252AA  
TO-251AA  
Reel Size  
330mm  
Tube  
Tape Width  
16mm  
Quantity  
ISL9N312AD3ST  
ISL9N312AD3  
2500 units  
50 units  
N312AD  
NA  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
ISL9N312AD3 / ISL9N312AD3ST Rev C  
1234567...11

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ISL9N312AD3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDU6692 FAIRCHILD

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		50A, 30V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, IPAK-3
ISL9N312AD3ST FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs
ISL9N312AD3ST ROCHESTER

获取价格

 		50A, 30V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3
ISL9N312AD3ST_NL FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
ISL9N312AD3ST_NL ROCHESTER

获取价格

 		50A, 30V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3
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 		N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs
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 		Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ISL9N312AS3STL99Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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