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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.13 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.012 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ISL9N312AP3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs |
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| ISL9N312AS3ST | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs |
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| ISL9N312AS3ST_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| ISL9N312AS3STL99Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| ISL9N312AS3STS62Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| ISL9N315AD3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET?? Trench Power MOSFETs |
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| ISL9N315AD3ST | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET?? Trench Power MOSFETs |
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| ISL9N316AD3ST | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs |
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| ISL9N316AP3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-220AB |
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| ISL9N316AS3ST | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-263AB |
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