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FDU8882_NL

更新时间： 2024-11-24 22:29:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
12页 271K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDU8882_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251AA包装说明：LEAD FREE, IPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.21
雪崩能效等级（Eas）：41 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：12.6 A最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.015 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：55 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDU8882_NL 数据手册

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November 2004  
FDD8882 / FDU8882  
®
N-Channel PowerTrench MOSFET  
30V, 55A, 11.5mΩ  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency of DC/DC converters using  
either synchronous or conventional switching PWM  
controllers. It has been optimized for low gate charge, low  
! r  
= 11.5mΩ, V = 10V, I = 35A  
GS D  
DS(ON)  
! r  
= 15mΩ, V = 4.5V, I = 35A  
DS(ON)  
GS  
D
! High performance trench technology for extremely low  
r
r
and fast switching speed.  
DS(ON)  
DS(ON)  
! Low gate charge  
! High power and current handling capability  
Application  
! DC/DC converters  
D
S
D
G
G
I-PAK  
(TO-251AA)  
S
D-PAK  
(TO-252)  
G D S  
www.fairchildsemi.com  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD8882/FDU8882 Rev. 1.0.0  
1
1234567...12

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FDU8882_NL 替代型号

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 		Rated current (Isat) is specified when the de
FDUE0630-H-R24M# MURATA

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 		Rated current (Isat) is specified when the de
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