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FDU8896_F085

更新时间： 2024-09-20 14:50:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 218K
描述
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, ROHS COMPLIANT, IPAK-3

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FDU8896_F085 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-251AA
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.7Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：168 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：17 A
最大漏源导通电阻：0.0068 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDU8896_F085 数据手册

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July 2010  
FDD8896_F085 / FDU8896_F085  
®
N-Channel PowerTrench MOSFET  
30V, 94A, 5.7mΩ  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency of DC/DC converters using  
either synchronous or conventional switching PWM  
controllers. It has been optimized for low gate charge, low  
•
•
•
r
= 5.7mΩ, V = 10V, I = 35A  
DS(ON)  
GS D  
r
= 6.8mΩ, V = 4.5V, I = 35A  
DS(ON)  
GS  
D
High performance trench technology for extremely low  
r
r
and fast switching speed.  
DS(ON)  
DS(ON)  
•
Low gate charge  
•
•
•
High power and current handling capability  
Qualified to AEC Q101  
Applications  
•
DC/DC converters  
RoHS Compliant  
D
D
G
S
G
I-PAK  
(TO-251AA)  
D-PAK  
S
G D S  
(TO-252)  
MOSFET Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
V
V
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
DSS  
GS  
20  
Drain Current  
Continuous (T = 25 C, V = 10V) (Note 1)  
Continuous (T = 25 C, V = 4.5V) (Note 1)  
C GS  
Continuous (T  
o
94  
85  
A
A
C
GS  
o
I
D
o
o
= 25 C, V = 10V, with R = 52 C/W)  
θJA  
17  
A
amb  
GS  
Pulsed  
Figure 4  
168  
80  
0.53  
A
E
P
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)  
Power dissipation  
Derate above 25 C  
mJ  
W
AS  
D
o
o
W/ C  
o
T , T  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
C
J
STG  
Thermal Characteristics  
o
R
R
R
Thermal Resistance Junction to Case TO-252, TO-251  
1.88  
100  
52  
C/W  
θJC  
θJA  
θJA  
o
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, TO-251  
C/W  
2
o
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, 1in copper pad area  
C/W  
©2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD8896_F085 / FDU8896_F085 Rev. A  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDUE0630-H-R12M# MURATA

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FDUE0630-H-R24M# MURATA

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FDUE0640 TOKO

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 		Fixed Inductors for Surface Mounting
FDUE0640_16 TOKO

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FDUE0640-H-KR15M MURATA

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FDUE0640-H-R24M TOKO

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