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FDUE1040D-H-R22M

更新时间： 2024-11-26 01:15:11

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TOKO		电感器
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Low audible core noise

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FDUE1040D-H-R22M 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8504.50.80.00
风险等级：	5.69	电感器类型：	GENERAL PURPOSE INDUCTOR
Base Number Matches：	1

FDUE1040D-H-R22M 数据手册

Metal Alloy Inductors

メタルアロイ^®インダクタ

FDUE1040D

Inductance Range: 0.22~1.0H

Recommended patterns

推奨パターン図

(Unit: mm)

FEATURES 特長

 11.2  10.0mm square and 4.0mm Max. height.

 Magnetically shielded construction, low DC resistance.

 The use of magnetic iron powder ensures capability for

large current.

 Low audible core noise.

 Ideal for DC-DC converter applications in hand held

personal computer and etc.

 11.2  10.0mm 角、高さ4.0mm Max.

 閉磁路構造、低直流抵抗

 磁性材に鉄系磁性粉を用いた大電流対応

 低コア鳴きノイズ

 DC-DCコンバータ用インダクタに最適

STANDARD PART NUMBERS 標準品一覧

TYPE FDUE1040D (Quantity/reel; 500 PCS)

品番

インダクタンス⁽¹⁾

許容差

直流抵抗⁽²⁾

直流重畳許容電流⁽³⁾

Inductance

温度上昇許容電流⁽⁴⁾

DCR

Resistance⁽²⁾

(m)

Temperature

Rise Current⁽³⁾

T=40C

Decrease Current⁽³⁾

(A) Max. (Typ.)

Part

Inductance⁽¹⁾

Tolerance

(%)

Number

(H)

L

=20%

Tolerance 7%

(A) Max. (Typ.)

FDUE1040D-H-R22M=P3

FDUE1040D-H-R36M=P3

FDUE1040D-H-R45M=P3

FDUE1040D-H-1R0M=P3

0.22

0.36

0.45

1.0

 20

0.64

0.79

1.02

2.35

32 (43)

25 (33)

24 (31)

16 (21)

32 (40)

30 (37)

27 (33)

18 (22)

(1)Inductance is measured with a LCR meter 4284A (Agilent

Technologies) or equivalent. Test frequency at 100kHz.

(2)DC resistance is measured with 34420A (Agilent Technologies) or

3541(HIOKI). (Reference ambient temperature 25C)

(3)Inductance Decrease Current based upon 20% inductance

reduction from the initial value.

(1)インダクタンスはLCR メータ4284A（Agilent Technologies）ま

たは同等品により測定する。

測定周波数は100kHz。

(2)直流抵抗は測定器34420A（Agilent Technologies）または3541

（HIOKI）と同等品により測定する。（周囲温度25°C）

(3)直流重畳許容電流：直流重畳電流を流した時インダクタンスの値

が初期値より20%減少する直流電流値

(4)温度上昇許容電流：コイルの温度が40°C上昇する値

（周囲温度25°Cを基準とする。）

(4)Temperature Rise Current based upon 40C temperature rise.

(Reference ambient temperature 25C)

(5)Absolute maximum voltage 30VDC.

(5)絶対最大電圧 30VDC

NOTICE: Please be sure that you carefully discuss your planned

purchase with our sales division if you intend to use the

product for business use etc. is severe.

ご注意：業務用など、厳しい使用条件でのご使用をご検討の場合は

必ず事前に弊社営業窓口までご相談ください。

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDUE1040D-H-R22M#	MURATA	获取价格	Rated current (Isat) is specified when the de
FDUE1040D-H-R22M=P3	MURATA	获取价格	General Purpose Inductor,
FDUE1040D-H-R36M	TOKO	获取价格	Low audible core noise
FDUE1040D-H-R36M#	MURATA	获取价格	Rated current (Isat) is specified when the de
FDUE1040D-H-R45M	MURATA	获取价格	General Purpose Inductor,
FDUE1040D-H-R45M	TOKO	获取价格	Low audible core noise
FDUE1040D-H-R45M#	MURATA	获取价格	Rated current (Isat) is specified when the de
FDUE1040D-H-R45M=P3	MURATA	获取价格	General Purpose Inductor,
FDUE1040D-H-R56M#	MURATA	获取价格	Rated current (Isat) is specified when the de
FDUE1040D-R45M	TOKO	获取价格	General Purpose Inductor, 0.45uH, 20%, 1 Element, Iron-Core, SMD, 4439, CHIP, 4439, ROHS C

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