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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251AA | 包装说明： | IPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.18 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 41 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 35 A | 最大漏源导通电阻： | 0.015 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 55 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDU6692 | FAIRCHILD |
功能相似  |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| ISL9N312AD3 | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDU8882_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDU8896 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDU8896_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDUE0630-H-R12M# | MURATA |
获取价格 |
Rated current (Isat) is specified when the de |
|
| FDUE0630-H-R24M# | MURATA |
获取价格 |
Rated current (Isat) is specified when the de |
|
| FDUE0640 | TOKO |
获取价格 |
Fixed Inductors for Surface Mounting |
|
| FDUE0640_16 | TOKO |
获取价格 |
Metal Alloy Inductors |
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| FDUE0640-H-KR15M | MURATA |
获取价格 |
Inductor |
|
| FDUE0640-H-KR15M | TOKO |
获取价格 |
Metal Alloy Inductors |
|
| FDUE0640-H-KR15M# | MURATA |
获取价格 |
Rated current (Isat) is specified when the de |
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