是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-251AA | 包装说明: | IPAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.14 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 168 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 17 A | 最大漏极电流 (ID): | 17 A |
最大漏源导通电阻: | 0.068 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-251AA | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 80 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FDU6682 | FAIRCHILD |
功能相似 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET | |
ISL9N306AD3 | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDU8896_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDUE0630-H-R12M# | MURATA |
获取价格 |
Rated current (Isat) is specified when the de | |
FDUE0630-H-R24M# | MURATA |
获取价格 |
Rated current (Isat) is specified when the de | |
FDUE0640 | TOKO |
获取价格 |
Fixed Inductors for Surface Mounting | |
FDUE0640_16 | TOKO |
获取价格 |
Metal Alloy Inductors | |
FDUE0640-H-KR15M | MURATA |
获取价格 |
Inductor | |
FDUE0640-H-KR15M | TOKO |
获取价格 |
Metal Alloy Inductors | |
FDUE0640-H-KR15M# | MURATA |
获取价格 |
Rated current (Isat) is specified when the de | |
FDUE0640-H-R24M | TOKO |
获取价格 |
Metal Alloy Inductors | |
FDUE0640-H-R24M# | MURATA |
获取价格 |
Rated current (Isat) is specified when the de |