是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-251AA | 包装说明: | IPAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.15 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 240 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 75 A | 最大漏极电流 (ID): | 75 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0062 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-251AA | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 71 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 100 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FDU8896 | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel PowerTrench MOSFET | |
ISL9N306AD3 | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDU6682_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDU6688 | FAIRCHILD |
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30V N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDU6692 | FAIRCHILD |
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30V N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDU6692_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FDU6696 | FAIRCHILD |
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30V N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDU6776A_F071 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 25 V, 7.5 mΩ | |
FDU6780A_F071 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 25 V, 8.6 mΩ | |
FDU6796A_F071 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench? MOSFET 25 V, 5.7 mΩ | |
FDU6N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET | |
FDU6N20TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |