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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> ISL9N306AD3
ISL9N306AD3 PDF预览

ISL9N306AD3

更新时间： 2024-11-07 22:20:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
11页 248K
描述
N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 6mз

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ISL9N306AD3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251AA包装说明：TO-251AA, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.12外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.0095 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

ISL9N306AD3 数据手册

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June 2003  
ISL9N306AD3 / ISL9N306AD3ST  
N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET® Trench Power MOSFETs  
30V, 50A, 6mΩ  
General Description  
Features  
This device employs a new advanced trench MOSFET  
technology and features low gate charge while maintaining  
low on-resistance.  
•
•
•
•
•
•
Fast switching  
r
r
DS(ON) = 0.0052Ω(Typ), VGS = 10V  
DS(ON) = 0.0085Ω(Typ), VGS = 4.5V  
Optimized for switching applications, this device improves  
the overall efficiency of DC/DC converters and allows  
operation to higher switching frequencies.  
Qg (Typ) = 30nC, VGS = 5V  
gd (Typ) = 11nC  
ISS (Typ) = 3400pF  
Q
Applications  
•
DC/DC converters  
C
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
DRAIN (FLANGE)  
D
S
DRAIN  
(FLANGE)  
GATE  
G
SOURCE  
TO-252  
TO-251  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
V
V
±20  
Continuous (TC = 25oC, VGS = 10V)  
Continuous (TC = 100oC, VGS = 4.5V)  
Continuous (TC = 25oC, VGS = V, RθJC = 52oC/W)  
Pulsed  
50  
50  
A
A
A
A
ID  
16  
Figure 4  
Power dissipation  
Derate above 25oC  
125  
0.83  
W
PD  
W/oC  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
oC  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance Junction to Case TO-251, TO-252  
1.2  
100  
52  
oC/W  
oC/W  
oC/W  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-251, TO-252  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, 1in2 copper pad area  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
N306AD  
Device  
Package  
TO-252AA  
TO-251AA  
Reel Size  
330mm  
Tube  
Tape Width  
Quantity  
ISL9N306AD3ST  
ISL9N306AD3  
16mm  
N/A  
2500 units  
75 units  
N306AD  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
ISL9N306AD3 / ISL9N306AD3ST Rev. B2  
1234567...11

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ISL9N306AD3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDU8896 FAIRCHILD

功能相似

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功能相似

 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

与ISL9N306AD3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ISL9N306AD3ST FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET
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获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
ISL9N306AP3 FAIRCHILD

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 		N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs
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 		75A, 30V, 0.006ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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