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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-251AA | 包装说明： | IPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.13 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.012 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | NOT SPECIFIED |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ISL9N312AD3ST | FAIRCHILD |
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N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs |
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| ISL9N312AD3ST | ROCHESTER |
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50A, 30V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3 |
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| ISL9N312AD3ST_NL | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| ISL9N312AD3ST_NL | ROCHESTER |
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50A, 30V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3 |
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| ISL9N312AP3 | FAIRCHILD |
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N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs |
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| ISL9N312AS3ST | FAIRCHILD |
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N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs |
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| ISL9N312AS3ST_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| ISL9N312AS3STL99Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| ISL9N312AS3STS62Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| ISL9N315AD3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET?? Trench Power MOSFETs |
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