5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> ISL9N312AS3ST
ISL9N312AS3ST PDF预览

ISL9N312AS3ST

更新时间： 2024-11-09 22:31:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
11页 142K
描述
N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs

阅读下载

中文翻译

获取价格

ISL9N312AS3ST 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.64
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：58 A
最大漏极电流 (ID)：58 A最大漏源导通电阻：0.012 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：75 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

ISL9N312AS3ST 数据手册

 浏览型号ISL9N312AS3ST的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ISL9N312AS3ST的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ISL9N312AS3ST的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ISL9N312AS3ST的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ISL9N312AS3ST的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ISL9N312AS3ST的Datasheet PDF文件第7页 
January 2002  
ISL9N312AP3/ISL9N312AS3ST  
N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET® Trench Power MOSFETs  
General Description  
Features  
This device employs a new advanced trench MOSFET  
technology and features low gate charge while maintaining  
low on-resistance.  
• Fast switching  
• r  
• r  
= 0.010Ω (Typ), V = 10V  
GS  
DS(ON)  
DS(ON)  
= 0.017Ω (Typ), V = 4.5V  
Optimized for switching applications, this device improves  
the overall efficiency of DC/DC converters and allows  
operation to higher switching frequencies.  
GS  
• Q (Typ) = 13nC, V = 5V  
g
GS  
• Q (Typ) = 4.5nC  
gd  
Applications  
• DC/DC converters  
• C  
(Typ) = 1450pF  
ISS  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
DRAIN  
(FLANGE)  
D
S
G
GATE  
SOURCE  
DRAIN  
(FLANGE)  
TO-263AB  
TO-220AB  
MOSFET Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
V
V
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
DSS  
GS  
20  
Drain Current  
o
58  
32  
A
A
Continuous (T = 25 C, V = 10V)  
C
GS  
o
I
Continuous (T = 100 C, V = 4.5V)  
C GS  
D
o
o
Continuous (T = 25 C, V = 10V, R = 43 C/W)  
θJA  
12  
A
C
GS  
Pulsed  
Figure 4  
A
Power dissipation  
Derate above 25 C  
75  
0.5  
W
W/ C  
P
o
o
D
o
T , T  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
C
J
STG  
Thermal Characteristics  
o
R
R
R
Thermal Resistance Junction to Case TO-220, TO-263  
2
C/W  
θJC  
θJA  
θJA  
o
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220, TO-263  
62  
43  
C/W  
2
o
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263, 1in copper pad area  
C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
N312AS  
Device  
ISL9N312AS3ST  
ISL9N312AP3  
Package  
TO-263AB  
TO-220AB  
Reel Size  
330mm  
Tube  
Tape Width  
24mm  
N/A  
Quantity  
800 units  
50  
N312AP  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, January 2002  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

与ISL9N312AS3ST相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ISL9N312AS3ST_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ISL9N312AS3STL99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ISL9N312AS3STS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ISL9N315AD3 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET?? Trench Power MOSFETs
ISL9N315AD3ST FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET?? Trench Power MOSFETs
ISL9N316AD3ST FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs
ISL9N316AP3 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-220AB
ISL9N316AS3ST ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-263AB
ISL9N316AS3STL86Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
ISL9N316AS3STL99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与ISL9N312AS3ST相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证