是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.19 |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (ID): | 35 A |
最大漏源导通电阻: | 0.022 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
湿度敏感等级: | NOT SPECIFIED | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | COMMERCIAL |
表面贴装: | YES | 端子面层: | NOT SPECIFIED |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FDB6030BL | FAIRCHILD |
类似代替 |
N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ISL9N322AS3STL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
ISL9N327AD3ST | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs | |
ISL9N7030BLP3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V, 0.009 Ohm, 75A, N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power MOSFETs | |
ISL9N7030BLS3ST | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V, 0.009 Ohm, 75A, N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power MOSFETs | |
ISL9R1560G2 | FAIRCHILD |
获取价格 |
15A, 600V Stealth⑩ Diode | |
ISL9R1560G2 | ONSEMI |
获取价格 |
15A,600V,STEALTH™ 二极管 | |
ISL9R1560G2-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
600V,15A,1.8V,TO-247(2 引线)Stealth™ 整流器 | |
ISL9R1560P2 | FAIRCHILD |
获取价格 |
15A, 600V Stealth⑩ Diode | |
ISL9R1560P2 | ONSEMI |
获取价格 |
15A,600V,STEALTH™ 二极管 | |
ISL9R1560P2_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
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