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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | TO-263AB, 3 PIN |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.45 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 180 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 48 A | 最大漏极电流 (ID)： | 52 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.013 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 75 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 52 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 150 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 73 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 225 ns |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| ISL9N322AS3ST | FAIRCHILD |
类似代替  |
N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDB6030BL_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FDB6030BLL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FDB6030L | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| FDB6035AL | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
|
| FDB6035ALL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDB6035L | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| FDB6035LL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FDB603AL | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| FDB603ALL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FDB604 | DEC |
获取价格 |
6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
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