是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
包装说明: | S-PUFM-W4 | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.54 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | UL RECOGNIZED |
最小击穿电压: | 800 V | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | BRIDGE RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.3 V |
JESD-30 代码: | S-PUFM-W4 | 最大非重复峰值正向电流: | 90 A |
元件数量: | 4 | 相数: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 最大输出电流: | 6 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 800 V | 最大反向电流: | 10 µA |
最大反向恢复时间: | 0.5 µs | 子类别: | Bridge Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | UPPER | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDB610 | DEC |
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6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS | |
FDB6644 | FAIRCHILD |
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30V N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDB6644L86Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDB6644L99Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDB6644S | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-263AB | |
FDB6644S62Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDB6644SL86Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
FDB6644SL99Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
FDB6670AL | FAIRCHILD |
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N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET | |
FDB6670ALL86Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |