Datasheet > FDB6670ALL86Z

FDB6670ALL86Z

更新时间： 2024-02-22 08:19:19

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	419K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FDB6670ALL86Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.0065 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDB6670ALL86Z 数据手册

July 1998

FDP6670AL/FDB6670AL

N-Channel Logic Level PowerTrench^TMMOSFET

General Description

Features

This N-Channel Logic Level MOSFET has been designed

specifically to improve the overall efficiency of DC/DC

converters using either synchronous or conventional

switching PWM controllers.

80 A, 30 V. R_DS(ON)= 0.0065 W @ V_GS=10 V,

R_DS(ON)= 0.0085 W @ V_GS= 4.5 V.

Critical DC electrical parameters specified at elevated

temperature.

These MOSFETs feature faster switching and lower gate

charge than other MOSFETs with comparable R_DS(on)

specifications.

Rugged internal source-drain diode can eliminate the need

for an external Zener diode transient suppressor.

The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even

at very high frequencies), and DC/DC power supply designs

with higher overall efficiency.

High performance trench technology for extremely low

R_DS(ON)

175°C maximum junction temperature rating.

_________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter

FDP6670AL

FDB6670AL

Units

Drain-Source Voltage

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage

±20

Drain Current - Continuous

- Pulsed

(Note 1)

240

W/°C

°C

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Derate above 25°C

0.5

-65 to 175

275

Operating and Storage Temperature Range

T_J,T_STG

T_L

Maximum lead temperature for soldering purposes,

1/8" from case for 5 seconds

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

°C/W

R_q_JC

62.5

FDP6670AL Rev.C

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与FDB6670ALL86Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDB6670ALL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDB6670ALS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDB6670AS	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDB6670AS_NL	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDB6670S	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench? SyncFET
FDB6670S_NL	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
FDB6670SL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDB6670SL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDB6670SS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDB6676	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

与FDB6670ALL86Z相关文章

LTM4644/LTM4644-1：创新的四输出同步降压微模块调节器
2024-07-02

2
2N3500：一款多用途NPN硅晶体管的全面解析
2024-07-02

3
最详细资料解析：BA5917AFP参数说明、引脚说明
2024-07-02

5
MAX232IDR数据手册：产品特性、电气参数、替代型号推荐
2024-07-02

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FDB6670ALL86Z

FDB6670ALL86Z 技术参数

FDB6670ALL86Z 数据手册

与FDB6670ALL86Z相关器件

与FDB6670ALL86Z相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FDB6670ALL86Z

FDB6670ALL86Z 技术参数

FDB6670ALL86Z 数据手册

与FDB6670ALL86Z相关器件

与FDB6670ALL86Z相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？