5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDB7030BL
FDB7030BL PDF预览

FDB7030BL

更新时间： 2024-02-03 21:26:45
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
5页 113K
描述
N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDB7030BL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.26
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：114 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
最大漏极电流 (ID)：80 A最大漏源导通电阻：0.007 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDB7030BL 数据手册

 浏览型号FDB7030BL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDB7030BL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDB7030BL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDB7030BL的Datasheet PDF文件第5页 
October 2003  
FDP7030BL/FDB7030BL  
N-Channel Logic Level PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel Logic Level MOSFET has been  
designed specifically to improve the overall efficiency of  
DC/DC converters using either synchronous or  
conventional switching PWM controllers.  
·
·
·
·
60 A, 30 V  
RDS(ON) = 9 mW @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 12 mW @ VGS = 4.5 V  
Critical DC electrical parameters specified at  
elevated temperature  
These MOSFETs feature faster switching and lower  
gate charge than other MOSFETs with comparable  
RDS(ON) specifications.  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
The result is a MOSFET that is easy and safer to drive  
(even at very high frequencies), and DC/DC power  
supply designs with higher overall efficiency.  
175°C maximum junction temperature rating  
It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON)  
and fast switching speed.  
D
D
G
G
G
S
TO-263AB  
FDB Series  
TO-220  
FDP Series  
D
S
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
30  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
± 20  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1)  
(Note 1)  
60  
180  
PD  
60  
W
W/°C  
°C  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
0.4  
Derate above 25°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
TJ, TSTG  
–65 to +175  
Thermal Characteristics  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
2.5  
°C/W  
°C/W  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
62.5  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
24mm  
Quantity  
FDB7030BL  
FDB7030BL  
FDP7030BL  
13’’  
800 units  
45  
FDP7030BL  
Tube  
n/a  
FDP7030BL/FDB7030BL Rev D1(W)  
Ó2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

中文翻译

下载PDF

FDB7030BL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STB95N3LLH6 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 30 V, 0.0037 Ω , 80 A, D2PAK, DPAK
IRF3707ZSPBF INFINEON

功能相似

 HEXFET Power MOSFET

与FDB7030BL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDB7030BLL86Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDB7030BLS FAIRCHILD

获取价格

 		30V N-Channel PowerTrench㈢SyncFET⑩
FDB7030BLSL86Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDB7030BLSS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDB7030L FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDB7030LL86Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDB7030LL99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDB7030LS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDB7042L FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDB7042L_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与FDB7030BL相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证