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FDB7080L86Z

更新时间： 2024-01-24 03:44:56
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 183K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 80V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

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FDB7080L86Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84雪崩能效等级（Eas）：555 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：230 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDB7080L86Z 数据手册

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March 2002  
FDP7080/FDB7080  
80V N-Channel PowerTrenchMOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers.  
• 75 A, 80 V.  
RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = 10 V  
DS(ON) = 15 mΩ @ VGS = 5 V  
R
• Fast switching speed  
This MOSFET features faster switching and lower gate  
charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON)  
specifications resulting in DC/DC power supply designs  
with higher overall efficiency.  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
• High power and current handling capability  
.
D
D
G
G
G
S
TO-263AB  
TO-220  
D
FDP Series  
FDB Series  
S
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
80  
20  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1)  
(Note 1)  
75  
230  
PD  
125  
0.85  
−65 to +175  
W
W°C  
°C  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Derate above 25°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
TJ, TSTG  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
1.2  
62.5  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
FDP7080  
Device  
FDP7080  
FDB7080  
Reel Size  
Tube  
Tape width  
n/a  
24mm  
Quantity  
45 units  
FDB7080  
13”  
800 units  
FDP7080/FDB7080 Rev C(W)  
2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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