型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDB8441_F085 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDB8441-F085 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,80A,2.5mΩ | |
FDB8442 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDB8442_10 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 80A, 2.9m | |
FDB8442_F085 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 40V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDB8442-F085 | ONSEMI |
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40 V、80 A、2.1 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench® | |
FDB8443 | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® MOSFET 40V,182A,3mΩ | |
FDB8443 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET | |
FDB8443_11 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 80A, 3.0m | |
FDB8443-F085 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,80A,3.0mΩ |