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FDB8441

更新时间: 2024-01-13 05:57:46
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关PC
页数 文件大小 规格书
7页 311K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET

FDB8441 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:D2PAK
包装说明:ROHS COMPLIANT PACKAGE-3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.23
雪崩能效等级(Eas):947 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (ID):28 A最大漏源导通电阻:0.0025 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FDB8441 数据手册

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August 2006  
FDB8441  
®
N-Channel PowerTrench MOSFET  
40V, 80A, 2.5mΩ  
Features  
Applications  
„ Automotive Engine Control  
„ Typ rDS(on) = 1.9mat VGS = 10V, ID = 80A  
„ Powertrain Management  
„ Typ Qg(10) = 215nC at VGS = 10V  
„ Low Miller Charge  
„ Solenoid and Motor Drivers  
„ Low Qrr Body Diode  
„ Electronic Steering  
„ UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
„ Qualified to AEC Q101  
„ Integrated Starter / Alternator  
„ Distributed Power Architectures and VRMs  
„ Primary Switch for 12V Systems  
„ RoHS Compliant  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDB8441 Rev.A  
1
www.fairchildsemi.com  

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