生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.84 | 雪崩能效等级(Eas): | 1500 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (ID): | 80 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0035 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 300 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDB8132 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench? MOSFET 30V, 80A, 1.6mΩ | |
FDB8132_F085 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDB8160 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench? MOSFET 30V, 80A, 1.8mΩ | |
FDB8160_F085 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDB8160-F085 | ONSEMI |
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30 V、80 A、1.5 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench® | |
FDB8441 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDB8441 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,80A,2.5mΩ | |
FDB8441_10 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 80A, 2.5m | |
FDB8441_F085 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDB8441-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,80A,2.5mΩ |