FDB6676

更新时间： 2024-09-26 22:40:51

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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5页	84K
描述
30V N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

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FDB6676 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	D2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
雪崩能效等级（Eas）：	370 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	84 A	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.006 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	93 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDB6676 数据手册

April 2001

FDP6676/FDB6676

30V N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

General Description

Features

This N-Channel MOSFET has been designed

specifically to improve the overall efficiency of DC/DC

converters using either synchronous or conventional

switching PWM controllers. It has been optimized for

“low side” synchronous rectifier operation, providing an

• 42 A, 30 V.

R_DS(ON)= 6.0 mΩ @ V_GS= 10 V

_DS(ON)= 7.5 mΩ @ V_GS= 4.5 V

• Critical DC electrical parameters specified at

extremely low R_DS(ON)

elevated temperature

Applications

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

• Synchronous rectifier

• DC/DC converter

• 175°C maximum junction temperature rating

TO-263AB

FDB Series

TO-220

FDP Series

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

V_GSS

Gate-Source Voltage

± 16

I_D

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1)

240

P_D

W°C

°C

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

0.48

Derate above 25°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

T_J, T_STG

-65 to +175

Thermal Characteristics

R_θJC

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1.6

°C/W

R_θJA

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

62.5

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

FDP6676

Device

FDP6676

FDB6676

Reel Size

Tube

Tape width

n/a

24mm

Quantity

800 units

FDB6676

13”

FDP6676/FDB6676 Rev C(W)

2000 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FDB6676L99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDB6676S	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩
FDB6676SL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDB6676SS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDB6688	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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