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FDB6688

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 65K
描述
Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3

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FDB6688 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84雪崩能效等级（Eas）：370 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：96 A
最大漏源导通电阻：0.005 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDB6688 数据手册

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August 2001  
PRELIMINARY  
FDP6688/FDB6688  
30V N-Channel Logic Level PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
“low side” synchronous rectifier operation, providing an  
· 48 A, 30 V.  
RDS(ON) = 5.0 mW @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 6.5 mW @ VGS = 4.5 V  
· Critical DC electrical parameters specified at  
elevated temperature  
extremely low RDS(ON)  
.
Applications  
· High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
· Synchronous rectifier  
· DC/DC converter  
· 175°C maximum junction temperature rating  
D
D
G
G
G
D
S
S
TO-263AB  
FDB Series  
TO-220  
FDP Series  
S
Absolute Maximum Ratings TA =25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
30  
V
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 4)  
(Note 1)  
(Note 1)  
± 16  
96  
V
A
280  
PD  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Derate above 25°C  
93  
W
W/°C  
°C  
0.48  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +175  
Thermal Characteristics  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
1.6  
°C/W  
°C/W  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
62.5  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
FDP6688  
Device  
FDP6688  
FDB6688  
Reel Size  
Tube  
Tape width  
n/a  
Quantity  
45  
800 units  
FDB6688  
13”  
24mm  
Ó2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP6688/FDB6688 Rev B(W)  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDB6696 FAIRCHILD

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FDB6696L86Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDB6696L99Z FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
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