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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDB6690S
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FDB6690S

更新时间： 2024-02-11 03:51:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 89K
描述
30V N-Channel PowerTrench SyncFET

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FDB6690S 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：D2PAK包装说明：D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.46雪崩能效等级（Eas）：140 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：42 A
最大漏源导通电阻：0.0155 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：NOT SPECIFIED端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

FDB6690S 数据手册

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SEPTEMBER 2001  
FDP6690S/FDB6690S  
30V N-Channel PowerTrenchÒ SyncFET™  
General Description  
Features  
This MOSFET is designed to replace a single MOSFET  
and parallel Schottky diode in synchronous DC:DC  
power supplies. This 30V MOSFET is designed to  
maximize power conversion efficiency, providing a low  
RDS(ON) and low gate charge. The FDP6690S includes  
an integrated Schottky diode using Fairchild’s  
monolithic SyncFET technology. The performance of  
the FDP6690S/FDB6690S as the low-side switch in a  
synchronous rectifier is indistinguishable from the  
performance of the FDP6035AL/FDB6035AL in parallel  
with a Schottky diode.  
·
21 A, 30 V.  
RDS(ON) = 15.5 mW @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 23.0 mW @ VGS = 4.5 V  
·
·
·
Includes SyncFET Schottky body diode  
Low gate charge (11nC typical)  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON) and fast switching  
·
High power and current handling capability  
D
D
G
G
G
S
TO-263AB  
FDB Series  
TO-220  
FDP Series  
D
S
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
30  
V
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
V
A
±20  
42  
Drain Current – Continuous  
(Note 1)  
(Note 1)  
– Pulsed  
140  
PD  
W
W/°C  
°C  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
48  
0.5  
C
Derate above 25°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8” from case for 5 seconds  
°C  
275  
Thermal Characteristics  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
2.6  
°C/W  
°C/W  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
62.5  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDB6690S  
FDB6690S  
13’’  
24mm  
800 units  
45  
FDP6690S  
FDP6690S  
Tube  
n/a  
FDP6690S/FDB6690S Rev C (W)  
Ó 2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		暂无描述
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